三星首次公开3nm工艺GAA技术 或在今年进行量产

　　【CNMO新闻】台积电版的骁龙8+确实令三星陷入了个不小的窘境，不过，作为志在“2030年前，成为全球最先进的半导体制造公司之一”的三星，日前终于亮出首个3nm工艺制造的12英寸晶圆，并计划在今年Q2季度量产。

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　　据三星透露，与7nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了约35%，纸面参数上来说却是要优于台积电3nm FinFET工艺。

　　对三星来说，3nm节点是他们押注芯片工艺赶超台积电的关键，三星的3nm节点启用GAA技术，这是一种新型的环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。

　　另一方面，据此前业界曝光的信息：台积电将于今年下半年小规模试产，明年才会进行大规模量产3nm工艺。所以，凭借绝对的时间进度，虽然厂商们或许会顾虑三星良品率不行等负面传闻，但3nm工艺GAA技术的绝对性能提升还是为三星带来了极大的优势。

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